SI8472DB-T2-E1

Vishay | 單端場效應管

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

原廠封裝：6-Micro

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Vishay威世半導體原廠型號：SI8472DB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：44 毫歐 @ 1.5A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：630pF @ 10V

功率 - 最大值：780mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UFBGA

供應商器件封裝：6-Micro Foot

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SI8472DB-T2-E1供應商-耐智電子

Vishay

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