SIA416DJ-T1-GE3

Vishay | 單端場效應管

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

原廠封裝：PowerPAK

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Vishay威世半導體原廠型號：SIA416DJ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11.3A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：83 毫歐 @ 3.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：295pF @ 50V

功率 - 最大值：19W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SC-70-6

供應商器件封裝：PowerPAK SC-70-6 單

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SIA416DJ-T1-GE3供應商-耐智電子

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