全球微控制器(MCU)及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel近日宣布，公司基于ARM Cortex-M0+的MCU已達(dá)到了一個(gè)全新的低功耗標(biāo)準(zhǔn)，將活動(dòng)模式下的功耗降至40 A/MHz，并將睡眠模式下的功耗降至200nA。除了超低功耗之外，新的平臺(tái)還具備全速USB主機(jī)與設(shè)備、事件系統(tǒng)與Sleepwalking、12位模擬、AES、電容觸控傳感等特性。預(yù)計(jì)到2020年，物聯(lián)網(wǎng)市場的設(shè)備總量將達(dá)到200億件，因此為了驅(qū)動(dòng)這些應(yīng)用，市場需要功耗更低、不會(huì)增加電網(wǎng)負(fù)荷或無需頻繁更換電池的MCU。Atmel最新的Atmel | SMART平臺(tái)專為這些應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可以將電池續(xù)航時(shí)間從數(shù)年延長至數(shù)十年。
新推出的SAM L21系列的功耗僅為市場上同類產(chǎn)品的三分之一，是新平臺(tái)上的首個(gè)產(chǎn)品系列，采用Atmel專有的picoPower耀術(shù)拓展Atmel | SMART 32位基于ARM內(nèi)核的產(chǎn)品組合。該平臺(tái)于11月11至14日在德國慕尼黑舉辦的2014慕尼黑國際電子展上會(huì)有展示。
運(yùn)行EEMBC CoreMark 基準(zhǔn)測試的結(jié)果顯示，Atmel的SAM L21系列在活動(dòng)模式下實(shí)現(xiàn)了40A/MHz的超低功耗，在32kB RAM記憶保存以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘和日歷的情況下僅消耗不到900nA的電能，在深度睡眠模式下僅消耗200nA的電能。憑借頻繁的喚醒次數(shù)、事件系統(tǒng)、Sleepwalking和創(chuàng)新型picoPower外設(shè)，SAM L21超低功耗系列是手持設(shè)備和電池供電型設(shè)備的理想選擇，適用于物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)、工業(yè)、便攜醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用。
新平臺(tái)的架構(gòu)創(chuàng)新讓定時(shí)器、串行通信、電容觸控傳感等低功耗外設(shè)能夠保持運(yùn)行狀態(tài)，同時(shí)將系統(tǒng)的其它部分置于低功耗模式，從而進(jìn)一步降低眾多永續(xù)運(yùn)行應(yīng)用的功耗。
EEMBC 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人Markus Levy 表示：“無論是在活動(dòng)或睡眠模式下，Atmel SAM L21系列的電流消耗都非常低，這對(duì)于瞄準(zhǔn)快速發(fā)展的電池供電型設(shè)備市場是一個(gè)巨大的優(yōu)勢。隨著數(shù)十億件設(shè)備在互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代被推向市場，設(shè)計(jì)人員將能利用Atmel的超低功耗SAM L系列提升電池供電型設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。為了舉例證明 Atmel的功耗，我期待能夠看到這個(gè)新平臺(tái)運(yùn)行我司最新ULPBench測試的結(jié)果，該測試瞄準(zhǔn)的是超低功耗微控制器行業(yè)�！�
Atmel公司高級(jí)副總裁兼微控制器業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Reza Kazerounian表示：“Atmel致力于為快速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)市場和電池供電型市場提供業(yè)內(nèi)功耗最低的技術(shù)。物聯(lián)網(wǎng)邊緣節(jié)點(diǎn)的開發(fā)人員不再滿足于將電池續(xù)航時(shí)間延長至一年，而是期待看到能夠?qū)⑵溲娱L至十年或更長時(shí)間的技術(shù)。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)， Atmel | SMART系列中最新的32位MCU平臺(tái)采用了Atmel專有的picoPower技術(shù)，成為打造物聯(lián)網(wǎng)邊緣節(jié)點(diǎn)的理想MCU�！�
