IXFN180N20

IXYS | 場效應管模塊

制造廠商：IXYS（德國IXYS）

功能簡述：MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

原廠封裝：SOT-227B

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IXYS公司完整型號：IXFN180N20

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

系列：HiPerFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：180A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：660nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：22000pF @ 25V

功率 - 最大值：700W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應商器件封裝：SOT-227B

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IXFN180N20供應商-耐智電子

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