IXFN30N110P

IXYS | 場效應管模塊

制造廠商：IXYS（德國IXYS）

功能簡述：MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

原廠封裝：SOT-227B

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IXYS公司完整型號：IXFN30N110P

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

系列：Polar?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：1100V（1.1kV）

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：25A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：235nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13600pF @ 25V

功率 - 最大值：695W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應商器件封裝：SOT-227B

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IXFN30N110P供應商-耐智電子

IXYS

IXYS

單端場效應管

微控制器

外部開關MOSFET，電橋驅動器

單二極管整流器

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