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IXTA3N100D2

IXYS | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：IXYS（德國IXYS）

功能簡述：MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

原廠封裝：TO-263

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IXYS公司完整型號：IXTA3N100D2

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.5 歐姆 @ 1.5A，0V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：37.5nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1020pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：TO-263 （IXTA）

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的IXTA3N100D2供應(yīng)商

IXTA3N100D2供應(yīng)商-耐智電子

IXYS

IXYS

SCR模塊

場效應(yīng)管模塊

微控制器

微控制器

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