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STL110N10F7

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6

原廠封裝：PowerFlat

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ST意法半導體公司完整型號：STL110N10F7

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6

系列：DeepGATE， STripFET VII

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：107A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：6 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5117pF @ 50V

功率 - 最大值：136W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應商器件封裝：PowerFlat（5x6）

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的STL110N10F7供應商

STL110N10F7供應商-耐智電子

RF場效應管

單端場效應管

驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器芯片

線性穩(wěn)壓器芯片

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