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SSM6N16FUTE85LF

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 20V 0.1A US6

原廠封裝：US6

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東芝半導體公司完整型號：SSM6N16FUTE85LF

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 20V 0.1A US6

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 10mA，4V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9.3pF @ 3V

功率 - 最大值：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應商器件封裝：US6

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SSM6N16FUTE85LF供應商-耐智電子

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