TK7Q60W,S1VQ

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

原廠封裝：I-Pak

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東芝半導體公司完整型號：TK7Q60W,S1VQ

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：7A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 3.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 350μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：490pF @ 300V

功率 - 最大值：60W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak

供應商器件封裝：I-Pak

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TK7Q60W,S1VQ供應商-耐智電子

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