SI7997DP-T1-GE3

Vishay | 場效應管陣列

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

原廠封裝：PowerPAK

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Vishay威世半導體原廠型號：SI7997DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：60A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：160nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6200pF @ 15V

功率 - 最大值：46W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual

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SI7997DP-T1-GE3供應商-耐智電子

Vishay

Vishay

單端場效應管

二極管TVS

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