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絕緣柵晶體管IGBT是近年來(lái)發(fā)展最快而且很有前途的一種復(fù)合型器件，并以其綜合性能優(yōu)勢(shì)在開(kāi)關(guān)電源、UPS、逆變器、變頻器、交流伺服系統(tǒng)、DC/DC變換、焊接電源、感應(yīng)加熱裝置、家用電器等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，在其使用過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)了不少影響其應(yīng)用的問(wèn)題，其中之一就是IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)與保護(hù)。目前國(guó)內(nèi)使用較多的有富士公司生產(chǎn)的EXB系列，三菱公司生產(chǎn)的M579系列，MOTOROLA公司生產(chǎn)的MC33153等驅(qū)動(dòng)電路。這些驅(qū)動(dòng)電路各有特點(diǎn)，均可實(shí)現(xiàn)IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)，但也有其應(yīng)用限制，例如：驅(qū)動(dòng)功率低，延遲時(shí)間長(zhǎng)，保護(hù)電路不完善，應(yīng)用頻率限制等。本文，以IXYS公司生產(chǎn)的IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404為基礎(chǔ)，介紹了其特性和參數(shù)，設(shè)計(jì)了實(shí)際驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，可滿(mǎn)足IGBT的實(shí)際驅(qū)動(dòng)和過(guò)流及短路時(shí)實(shí)施慢關(guān)斷策略的保護(hù)要求。

IXDN404驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)介

    IXDN404為IXYS公司生產(chǎn)的高速CMOS電平IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器，其特性如下：

    ——高輸出峰值電流可達(dá)到4A；

    ——工作電壓范圍4.5V～25V；

    ——驅(qū)動(dòng)電容1800pF<15ns；

    ——低傳輸延遲時(shí)間；

    ——上升與下降時(shí)間匹配；

    ——輸出高阻抗；

    ——輸入電流低；

    ——每片含有兩路驅(qū)動(dòng)；

    ——輸入可為T(mén)TL或CMOS電平。