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  • Spansion公司發布了業內首款基于65納米生產技術的單芯片4Gb(千兆比特)NOR閃存產品
    編輯:Spansion代理 [ 2014/12/2 ] 文章來源:Spansion官網
    Spansion公司發布了業內首款基于65納米生產技術的單芯片4Gb(千兆比特)NOR閃存產品Spansion公司(NYSE: CODE)日前發布了業內首款基于65納米生產技術的單芯片4Gb(千兆比特)NOR閃存產品——4Gb Spansion GL-S。通過高速讀取以及出色的質量保證,協助游戲及汽車應用提供更完美的交互圖像、動畫及視頻服務,從而提升用戶體驗。
    此款Spansion GL-S系列的新成員將在本月開始供樣。基于Spansion所擁有的高可靠性MirrorBit電荷捕獲技術,Spansion GL-S系列與同類NOR閃存產品相比在讀取性能方面的有了45%的提升。 該系列產品目前能提供從128Mb到2Gb的存儲方案并已經在消費電子、汽車、游戲、通訊和工業應用領域有諸多領先的成功案例。
    高速隨機讀取性能在諸如游戲和車載娛樂信息應用等領域尤為關鍵,這些領域往往需要豐富立體的三維圖像、快速移動和交互性。下一代游戲開發將把智能手機的多點觸控體驗引入電子游戲界面,因此對軟件和處理器性能的需求將增加,由此對閃存的快速讀取性能的要求也將不斷提升。spansion代理商的聯系方式另外,高分辨率顯示的特性同樣需要更高質量的圖形處理和高密度閃存。
    主要特性:
    Spansion GL-S系列及其具備的高性能,非常適用于手持消費游戲、游戲盒、手持學習設備、如街機游戲、資訊站等產業娛樂設備以及車載信息娛樂系統等應用。
    4Gb GL-S產品今年8月供樣,將于2011年第四季度開始量產。
    Spansion GL-S系列現提供產品密度范圍128Mb至2Gb。
    在原先67.4MB/s頁面瀏覽速度上提升45%至98.5MB/s。
    第三方數據表明,GL-S產品相較同類產品編程速度提升30%。
    65nm MirrorBit技術奠定了Spansion在高密度NOR閃存行業的領導地位。
    支持溫度范圍0℃至+85℃。
    補充的定制軟件驅動程序和Flash文件系統軟件
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